Caracterizaciòn del c-Si y estimación del gap óptico a través de medidas de transmisión con led convencionales de bajo coste

Ivaldo Torres, Kelvin Beleño, Jorge L Diaz

Resumen


Este trabajo trata de la caracterización del substrato de silicio cristalino (c-Si) y la determinación del Gap óptico a través de medidas de transmisión y reflexión utilizando un equipo de medida óptica que emplea Led’s convencionales de bajo costo de adquisición diseñado en la Universidad de Pamplona.  En el equipo diseñado para realizar las medidas transmisión óptica se utilizaron cinco Led’s convencionales de bajo costo de adquisición de espectros de longitudes de ondas  que varían entre el violeta (300nm) hasta el infrarrojo (900 nm).  Para realizar los experimentos se utilizaron obleas de silicio cristalino (c-Si) tipo p de 200 y 300 um de grosor pulida por ambas caras  con orientación cristalográfica <100>.  Con medidas de transmisión y reflexión se calculó la absorción del material semiconductor y se estimó el valor del Gap óptico comparándose con  resultados obtenidos por otros autores.  Demostrando que es posible utilizar elementos convencionales de bajo consumo de energía y bajo coste de adquisición en la fabricación de sistemas de caracterización que involucran medidas ópticas complejas combinando variables como la temperatura.


Texto completo:

ART 6

Referencias


-Martin A. Green and David Jordan, Technology and Economics of Three Advanced Silicon Solar Cells, Taiwan PV World Forum: PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS, Prog. Photovolt. Res. Appl. (1998).

-S.M.Sze, Semiconductor Devices Physics and Thecnology: 2nd Edition, John Wiley & Son, Inc, (2001).

-Z. Felk. Estudio Morfológico Y Estructural Del Crecimiento Epitaxial De Capas de c-Si, Tesis Doctoral, Universidad Autónoma de Barcelona, España, (2000).

-M. Vetter, Y. Touati, I. Martin, R. Ferré, R. Alcubilla, I. Torres, J. Alonso, M.A. Vazquez, Characterization of Industrial p-type CZ Silicon Wafers Passivated with a-SiC,:H Films, IEEE, Electronic Device, (2005).

-J. Revelo y A. Luque, Contribución A La Mejora De Las Células Solares De Silicio, Tesis Doctoral, Universidad Politecnica de Madrid, Madrid-España, (1998).

- Lorin X. Benedict, Robert B. Bohn and Eric L. Shirley, Theory Of Optical Absorption In Diamond, Si, Ge, and GaAs, Physical Review B, (1998).

- J. M. Cabrera, F. J. López, F. A. López, Fundamento de Óptica Electromagnética, Addison-Wesley Iberoamericana, (1993).

- G. G. Macfarlane, T. P. McLean, J. E. Quarrington, and V. Roberts, Fine Structure in the Absorption-Edge Spectrum of Ge, Physics Review, (1957).

- John. M. Essick and Richard T. Mather, Characterization of a bulk semiconductor’s band gap via a near–absorption edge optical transmission experiment, American Journal Physics, (1993).

-G.E. Jellison, and F.A.Modine, Parameterization Of The Optical Functions Of Amorphous Materials In The Interband Región, Applied Physics Letters, (1996).




DOI: https://doi.org/10.24054/01204211.v1.n1.2012.49

Enlaces refback

  • No hay ningún enlace refback.